Como ya se ha explicado previamente, los transistores bipolares están construidos por la unión de 3 cristales semiconductores: 2 N y 1 P (en el caso de transistores NPN), o 2 P y 1 N (en el caso de transistores PNP) y a cada uno de estos cristales se le da un nombre: Emisor, Base y Colector.
Podemos polarizar la unión Base-Colector del transistor de forma inversa, conectando el polo positivo de una pila (VCC) al terminal Colector (cristal Negativo) y el polo negativo de la pila al terminal Base (cristal Positivo).
Entonces los electrones del colector son atraídos hacia el polo positivo de la pila y los huecos de la base hacia el polo negativo de la pila.
En este último caso la pila VEE inyecta electrones en el Emisor, empujándolos hacia la Base. Cuando la diferencia de potencial de la pila supera la diferencia de potencial de la unión Emisor - Base (0,3 V en el caso del Germanio, o 0,7 V en el caso del Silicio), los electrones terminan por entrar en la Base, creándose una corriente eléctrica de Emisor (IE) hacia la Base.
Como la unión Base - Colector está polarizada de forma inversa, los huecos de la Base atraen a los electrones del Emisor y aunque algunos salen de la Base hacia las pilas (corriente de Base, IB), la gran mayoría de ellos pasan al Colector atravesando la unión Base - Colector.
Los electrones finalmente salen del transistor por el Colector (corriente de Colector, IC), atraídos por el polo positivo de la pila VCC, la cual es de mayor voltaje que VEE.
Este es el sentido real de la corriente, pero normalmente se usa el sentido inverso, considerado como el sentido convencional de la corriente.
Y se denomina ganancia de corriente (𝛃) a la relación entre la corriente de colector obtenida a la salida y la corriente de base que se aplica a la entrada.
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