Para intentar demostrar los resultados obtenidos previamente en los análisis gráficos, vamos a montar el circuito que hemos diseñado en el simulador. Se dispone de los siguientes componentes:
Circuito montado en la placa Protoboard con los componentes indicados disponibles. Se ha añadido una pila VBB = 1,54 v:
una VCE de 3,8 v y una Corriente de Colector (IC) de 2,28 mA:
Por otro lado, si en vez de una pila de 1,5 v en VBB ponemos una pila de 3 v y realizamos mediciones, obtenemos una Corriente de Base (IB) de 24 𝛍A,
una VCE de 0,14 voltios y una Corriente de Colector (IC) de 3,95 mA.
Para nada lo que hemos calculado previamente en el análisis gráfico con el simulador.
Lo que ha ocurrido es que las curvas de salida han aumentado su separación, moviendo los puntos de trabajo del transistor a lo largo de la recta de carga en dirección a la saturación:
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| Puntos de trabajo del transistor y curvas de salida obtenidas con el simulador de circuitos |
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| Puntos de trabajo del transistor y curvas de salida en el circuito real |
y mientras que las Corrientes de Base se mantienen más o menos igual (para VBB = 3 v, IB = 24 𝝁A y para VBB = 1,5 v, IB = 9 𝝁A, frente a los 23 𝝁A y los 8 𝝁A medidos en los circuitos diseñados en el simulador), las Corrientes de Colector (IC) aumentan de forma considerable (de 3,1 mA a 3,95 mA y de 1,3 mA a 2,28 mA, para una misma VCC = 9 v).
Esto es debido a que en los circuitos reales el 2N2222A presenta una Ganancia de Corriente (𝛃) mayor que en los circuitos diseñados en el simulador, con valores de 164 y de 253 en el caso de los primeros y de 134 y de 162 en el caso de los segundos.
Y es que la Ganancia de Corriente (𝛃) tiene una gran variabilidad.
Esta variabilidad de 𝛃 puede tener efectos perjudiciales, ya que se pueden obtener puntos de funcionamiento del transistor a lo largo de la recta de carga demasiado extremos y alejados de la zona activa.
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